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SK海力士宣布开发出238层NAND闪存芯片 拟明年上半年量产

时间:2022-08-03 13:40:10来源:TechWeb编辑:星辉

8月3日消息,据国外媒体报道,周二,韩国芯片制造商SK海力士宣布,它已开发出238层NAND闪存芯片。

该公司表示,这款芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度与上一代芯片相比提升50%,读取数据消耗的能量降低21%,将用于PC存储设备、智能手机和服务器,计划在2023年上半年开始批量生产。

去年12月30日,SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中,英特尔向SK海力士出售SSD业务(包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工)和大连的NAND闪存制造工厂,SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行,届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉,英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力,SK海力士在7月下旬宣布,将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉,SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂,该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设,预计最早于2025年完工。

外媒报道称,该公司之所以决定推迟扩建计划,可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。


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