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三星加速推进2纳米工艺,欲挑战台积电霸主地位

时间:2023-10-13 14:10:44来源:ITBEAR编辑:芳华

【ITBEAR科技资讯】10月13日消息,据DigiTimes最新报道,三星正全力推进2纳米制程技术,旨在在半导体领域对台积电发起挑战。

三星半导体和设备解决方案(DS)部门的负责人Kye Hyun Kyung曾公开表示,他们计划在未来五年内超越台积电以及其他业内巨头。

据韩国新闻媒体Money Today援引的内部消息称,三星的半导体代工部门正在紧锣密鼓地推进2纳米生产计划,他们正在整合自身的优势资源,以加速2纳米技术的研发。有一些业内人士甚至猜测,三星有可能跳过3纳米制程,直接迈向2纳米的制造工艺。

在今年6月的一份报告中,三星正式公布了最新的工艺技术路线图,计划在2025年推出2纳米级别的SF2工艺,而在2027年推出1.4纳米级别的SF1.4工艺。与此同时,公司还公布了SF2工艺的一些特性。

SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进行了进一步的优化。相较于SF3工艺,SF2工艺在相同的频率和复杂度下能够提高25%的功耗效率,提高12%的性能,同时在相同的功耗和复杂度下减少了5%的芯片面积。

为了增加SF2工艺的竞争力,三星还计划为该工艺提供一系列先进的IP组合,其中包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等技术。这些举措显示出三星在追求半导体技术的领先地位方面的坚定决心。

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