【ITBEAR科技资讯】3月22日消息，近日，美光科技公布了其截至2月29日的2024财年第二财季财报，并在配套的演示文稿中详细介绍了DRAM内存和NAND闪存的现状与未来展望。
据财报披露，美光已成功试生产了采用EUV光刻技术的下一代1-gamma内存，标志着公司在内存技术领域的又一重要突破。同时，美光还透露了下一代NAND节点的开发计划，预计将在2025年实现量产，这将进一步提升公司在存储市场的竞争力。
目前，美光的DRAM内存颗粒中，有3/4位于1-alpha/beta先进节点上，显示出公司在内存技术方面的领先地位。而在NAND闪存方面，公司更是实现了90%的产能集中在176层/232层节点，充分展现了美光在存储技术领域的强大实力。
在产品方面，美光在传统服务器内存领域取得了显著进展。公司率先完成了单层结构的32Gb芯片128GB服务器内存的验证工作，这款内存模组预计在接下来半年内将为美光带来数亿美元的营收。此外，美光还宣布开始对256GB单条的MRDIMM进行采样，这将进一步提升服务器内存的速率和性能。
美光还推出了具有可插拔特性的LPCAMM2模组产品。这款产品在保持LPDDR高速低功耗优势的同时，为服务器行业带来了更多的灵活性和可扩展性。服务器用LPCAMM2模组容量将达到128GB，有望满足不断增长的数据处理需求。
在消费级存储市场，美光的客户端固态硬盘产品中QLC颗粒的出货量已达到新高，占总体的2/3，进一步巩固了其在客户端QLC固态硬盘市场的领先地位。作为背景信息，美光在2022年初推出了面向OEM/SI的2400系列PCIe Gen4 QLC固态硬盘，并在当年9月推出了旗下消费级品牌英睿达的P3(Plus)固态硬盘，其中部分产品采用了QLC闪存技术。这些产品的推出和成功市场表现，充分证明了美光在消费级存储市场的创新能力和市场洞察力。
总的来说，美光科技在DRAM内存和NAND闪存领域都取得了显著的进展和突破，不仅巩固了公司在存储市场的领先地位，也为未来的发展奠定了坚实的基础。同时，美光还积极拓展产品线和市场应用领域，不断满足消费者和行业客户的需求和期望。
