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三星电子突破技术壁垒:成功验证16层混合键合HBM内存

时间:2024-04-09 09:55:01来源:ITBEAR编辑:瑞雪

【ITBEAR科技资讯】4月9日消息,三星电子最近取得了技术上的重大进展。公司高层近日宣布,他们已经成功完成了16层混合键合HBM内存技术的验证,并已经制造出了基于此技术的16层堆叠HBM3内存样品。该样品已经通过了测试并表现正常,预示着未来16层堆叠混合键合技术将被运用到HBM4内存的量产中。

混合键合技术,这种新兴的内存连接方式,相比传统工艺有着诸多优势。它不再需要在DRAM内存层间添加凸块,而是通过铜对铜的直接连接来实现层间互联,从而显著提升了工作效率。此外,该技术不仅大幅提高了信号传输速率,满足了AI计算对高带宽的迫切需求,还有效地缩短了DRAM层间距,显著降低了HBM模块的整体高度,进一步提升了集成度和便携性。

据ITBEAR科技资讯了解,虽然混合键合技术的成熟度和成本问题一直是行业内关注的焦点,但三星电子已经采取了多元化策略来应对这些挑战。在积极研究混合键合技术的同时,公司还在开发传统的TC-NCF工艺,以实现技术多元化,分散风险,并提升整体竞争力。

三星:已完成16层混合键合HBM内存验证 整体高度缩减

三星已经将目标设定为将HBM4中的晶圆间隙缩减至7.0微米以内,这将为HBM4的性能和可靠性带来进一步的提升,为未来计算应用打造更坚实的基础。

对此,行业专家普遍认为,三星在16层混合键合堆叠技术上的这一重大突破,将极大地推动HBM内存技术的发展,并为未来计算应用提供更为强大的内存支持。

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