三星电子突破技术壁垒：成功验证16层混合键合HBM内存

【ITBEAR科技资讯】4月9日消息，三星电子最近取得了技术上的重大进展。公司高层近日宣布，他们已经成功完成了16层混合键合HBM内存技术的验证，并已经制造出了基于此技术的16层堆叠HBM3内存样品。该样品已经通过了测试并表现正常，预示着未来16层堆叠混合键合技术将被运用到HBM4内存的量产中。

混合键合技术，这种新兴的内存连接方式，相比传统工艺有着诸多优势。它不再需要在DRAM内存层间添加凸块，而是通过铜对铜的直接连接来实现层间互联，从而显著提升了工作效率。此外，该技术不仅大幅提高了信号传输速率，满足了AI计算对高带宽的迫切需求，还有效地缩短了DRAM层间距，显著降低了HBM模块的整体高度，进一步提升了集成度和便携性。

据ITBEAR科技资讯了解，虽然混合键合技术的成熟度和成本问题一直是行业内关注的焦点，但三星电子已经采取了多元化策略来应对这些挑战。在积极研究混合键合技术的同时，公司还在开发传统的TC-NCF工艺，以实现技术多元化，分散风险，并提升整体竞争力。

三星已经将目标设定为将HBM4中的晶圆间隙缩减至7.0微米以内，这将为HBM4的性能和可靠性带来进一步的提升，为未来计算应用打造更坚实的基础。

对此，行业专家普遍认为，三星在16层混合键合堆叠技术上的这一重大突破，将极大地推动HBM内存技术的发展，并为未来计算应用提供更为强大的内存支持。