【ITBEAR】8月7日消息，据路透社报道，三星电子在内存技术领域取得了新的突破。据悉，三星电子的第五代8层HBM3E产品已经通过了英伟达的严格测试，并被确认可用于后者的人工智能处理器。这一进展不仅标志着三星在HBM技术上的重大突破，也意味着该公司在供应能够高效处理生成式AI工作的高级内存芯片方面取得了显著进展。
尽管三星和英伟达尚未正式签署关于已获批的8层HBM3E芯片的供应协议，但据知情人士透露，双方的合作即将进入实质性阶段，预计在2024年第四季度开始大规模供货。三星的12层HBM3E芯片版本目前尚未通过英伟达的测试。
据ITBEAR了解，HBM(High Bandwidth Memory)是一种先进的动态随机存取内存(DRAM)标准，自2013年首次推出以来，以其垂直堆叠芯片的设计在节省空间和降低能耗方面表现出色。作为AI图形处理器(GPU)的关键组件，HBM对于处理生成式AI应用产生的海量数据至关重要。
随着生成式AI热潮的兴起，高端GPU的需求激增，三星HBM3E芯片的成功认证无疑为AI硬件市场注入了新的活力。研究机构TrendForce预测，HBM3E芯片将成为今年主流HBM产品的首选，出货量主要集中于下半年。同时，行业领军企业SK海力士预计，整个HBM内存芯片市场在2027年将以每年82%的速度增长。
三星7月的预测显示，HBM3E芯片将在第四季度占其HBM芯片销售额的60%，许多分析师认为，如果其最新的HBM芯片能在第三季度通过英伟达的最终认证，这一目标将得以实现。目前，HBM的主要制造商仅有三家，分别为SK海力士、美光和三星，三星的这一新进展无疑将在市场上引起震动。
此次与英伟达的合作不仅将对两家公司产生深远影响，还将对整个AI硬件市场格局产生重要推动作用。三星通过引入更高效的内存解决方案，有望与英伟达共同引领AI技术的发展潮流，为未来的人工智能应用铺平道路。随着第四季度供货的临近，市场对这一合作的关注度将持续升高。
