近日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（下简称“英诺赛科”）正式拉开其公开招股的大幕，招股活动将在12月18日至23日期间进行。据悉，该公司计划全球发行4536.4万股H股，其中，香港公开发售占10%，国际发售占90%，并设有15%的超额配股权。每股发售股份的最高定价锁定在33.66港元，每手交易包含100股股票，预计H股将于12月30日正式挂牌上市，中金公司及招银国际担任此次招股的联席保荐人。
英诺赛科在招股说明书中透露，此次招股所得款项的约60%将用于扩大其8英寸氮化镓晶圆的生产能力，涵盖设备购置与升级、人员招聘等多个方面。另有20%的资金将投入到研发领域，旨在拓展产品线，提高氮化镓产品在终端市场的占有率。10%的资金将用于扩展氮化镓产品的全球销售网络，剩余10%则用于日常运营及其他企业用途。
氮化镓作为第三代半导体的核心材料，因其高频、耐高压、抗辐射和高电子迁移率等特性，在消费电子、新能源汽车、可再生能源以及数据中心等领域展现出广阔的应用前景。根据弗若斯特沙利文的数据，2023年标志着氮化镓功率半导体产业进入爆发式增长阶段，市场将迎来显著增长。预计到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到501亿元人民币，在全球功率半导体市场的份额将提升至10.1%，在全球功率半导体分立器件市场的占比将达到24.9%，为行业内的企业带来了前所未有的发展机遇。
作为全球氮化镓领域的佼佼者，英诺赛科拥有两座8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地，是全球产能最大的氮化镓器件制造商。公司专注于硅基氮化镓外延与器件的研发与制造，是全球功率半导体行业变革的引领者，也是全球第一家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的IDM企业。从2021年至2023年，英诺赛科的收入实现了惊人的复合年增长率，高达194.8%。
根据弗若斯特沙利文的数据，截至2023年底，以氮化镓分立器件收益计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中的市场份额高达33.7%，位居行业第一。截至2024年6月30日，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆良率已超过95%，突破了每月12,500片晶圆的生产瓶颈，氮化镓分立器件累计出货量超过8.5亿颗，市场份额遥遥领先，充分展示了其在氮化镓领域的领导地位。
随着全球氮化镓功率半导体市场的快速增长，英诺赛科此次赴港上市将进一步提升其国际知名度和影响力。在资本市场的助力下，公司将加速全球布局，推动技术创新，扩大产能规模，优化产品结构，以更加卓越的产品和服务满足市场需求，持续引领氮化镓行业的高质量发展。
