功率半导体市场近期呈现出与前几年截然不同的冷清态势。据TechInsights数据揭示，2024年该行业的销售额预计为468亿美元，相较于2023年下滑了8%。这一变化不仅体现在整体销售额上，更在行业内各大巨头的动作中显露无遗。
作为功率半导体领域的领军企业，多家公司近期宣布了裁员计划。日本瑞萨电子计划在其全球范围内的21000个岗位中裁员约1050人，并将原定于2025年初的大规模生产推迟。同时，该公司的制造设施产能利用率在截至2024年12月的三个月内仅为30%，显示出市场需求的疲软。英飞凌同样宣布将裁员1400人，并将另外1400个职位转移至劳动力成本较低的国家。瑞士的意法半导体和美国安森美半导体也分别计划通过提前退休和直接裁员的方式减少员工数量。
不仅功率半导体大厂面临困境，其上游的零部件与材料供应商同样未能幸免。Wolfspeed宣布关闭其在美国的碳化硅（SiC）工厂，并裁员1000人。日本Sanken Electric推迟了电动汽车功率模块的增产计划，住友电气也取消了新建半导体材料工厂及增加生产线的规划。
研究机构对日美欧7家大型企业的库存情况进行了统计，结果显示功率半导体库存逐渐增加，产品从制造到销售的平均天数在2024年10-12月达到99天，同比增长18%。这一数据进一步印证了市场需求的低迷。
在价格方面，功率半导体市场同样呈现出不乐观的趋势。硅基IGBT、硅基MOSFET以及碳化硅作为主力产品，均表现出不同程度的逆风。特别是碳化硅，自2024年初以来，6英寸SiC衬底价格持续下跌，行业迅速从供应短缺转向供过于求。随着中国SiC衬底制造商的扩产，供需失衡问题进一步加剧。目前，6英寸SiC衬底价格已跌至500美元以下，部分制造商甚至以低于成本价销售。8英寸SiC基板的价格防线也在近期逐渐失守，预计价格将大幅下降。
在SiC的迅猛发展冲击下，国际IGBT龙头也采取了降价措施来稳固市场份额。进入2025年，英飞凌、富士等外资品牌已降价超过30%。然而，国产IGBT厂商并未跟随降价，市场竞争格局愈发复杂。
尽管功率半导体市场整体呈现出低迷态势，但部分细分领域仍展现出不同的发展前景。MOSFET市场中，中低、高压MOSFET市场呈现出明显的结构性分化。中低MOSFET市场竞争激烈，利润空间受挤压；而高压MOSFET市场则有望实现持续增长。
对于功率半导体市场的复苏时间，业内存在不同看法。咨询公司KPMG FAS的冈本准表示，电动汽车用功率半导体的需求要到2026年以后才会真正复苏。市场研究机构数据也显示，功率半导体市场自去年10月至今年6月持续萎靡，预计7月将相对稳定，但恢复增长仍需时间。富士经济则预计，功率半导体市场将在2025年下半年恢复正常库存水平，并从2026年开始扩大。
然而，已有不少龙头企业将行业复苏的矛头对准今年。英飞凌首席执行官表示，尽管周期性复苏被推迟，但他们准备在2025年实现低迷的经营业绩。东芝电子设备业务总经理也表示，目前功率芯片需求缓慢，但2025年业务应该会回暖。
国产半导体公司在这一背景下也展现出了不同的发展态势。随着经济复苏和下游需求的拉动，部分国产功率半导体公司业绩明显改善。例如，士兰微自主研发的SiC MOSFET模块已通过多家车企验证并批量交付，在汽车领域的布局成果显著。然而，也有部分公司仍面临挑战，市场竞争激烈。
总体而言，功率半导体市场在过去一年中经历了显著的变革。面对市场需求的低迷和行业竞争的加剧，企业需要不断调整策略以适应市场变化。未来，随着电动汽车市场的复苏和其他新兴应用领域的拓展，功率半导体市场有望迎来新的发展机遇。
