在化合物半导体领域，ICNS国际会议一直是全球顶尖科学家、工程师及产业界精英交流的重要平台。此次第15届ICNS会议，汇聚了来自斯坦福大学、北京大学、东京大学、法国科学院及英飞凌等机构的专家学者，共同探讨氮化物半导体的最新研究成果与发展趋势。会议不仅涵盖了材料生长、器件物理等基础研究领域，还深入探讨了这些技术在半导体照明、通信、能源等领域的应用前景。
作为氮化镓功率器件领域的创新者，广东致能半导体有限公司受邀出席了此次盛会。致能公司展示了其在硅基垂直氮化镓功率器件技术上的重大突破，这一成果引发了国际同行的广泛关注与热议。
据致能公司介绍，硅基垂直氮化镓器件架构能够突破传统横向结构在导电能力和散热性能上的局限，展现出卓越的性能和巨大的系统集成潜力。这一架构被视为推动氮化镓功率器件向更大功率领域迈进的关键技术之一。
与传统的横向结构氮化镓器件相比，垂直结构器件的源极位于顶部，漏极位于底部，电流纵向流动。这种设计使得垂直结构器件具有更低的导通电阻、更强的耐压能力和更高的散热效率，尤其适用于高压、高功率的应用场景。
致能团队在硅衬底上成功实现了垂直GaN/AlGaN异质结构及垂直二维电子气沟道的直接外延生长方法，这一创新技术为制备低位错密度的氮化镓鳍状结构提供了可能。基于此，致能研制出了全球首个具有垂直二维电子气沟道的常开型器件及阈值电压可调的常关型器件。
在工艺集成方面，致能通过特定工艺实现了全垂直电极结构布局，这一设计不仅提升了散热效率，还提高了量产的可行性。这一创新架构和工艺为器件的微缩和大电流性能迭代提供了广阔的空间。
在ICNS会议上，致能还展示了其垂直二维电子气氮化镓功率器件架构的实物图片。图片中，左图为生长用硅衬底尚未去除的器件架构，右图则为去除硅衬底后的垂直氮化镓器件晶圆。这一创新成果不仅展示了致能在材料外延、结构设计和工艺集成等方面的持续创新能力，也为其在国内外广泛布局核心知识产权、构建完整专利体系奠定了坚实的基础。
广东致能半导体有限公司成立于2018年，总部位于深圳，并在徐州、广州、上海等地设有研发基地和市场销售中心。公司由具有丰富半导体研发经验的海外归国专家领衔创立，拥有一支顶尖的研发团队。在常关型、垂直沟道氮化镓功率器件等方面，致能拥有多项独特技术发明，致力于推动第三代半导体氮化镓功率器件的研发与产业化进程。
