随着人工智能技术持续渗透，芯片行业的投资热潮正从逻辑芯片领域向内存市场加速扩散。摩根士丹利最新研究指出，全球存储器市场特别是闪存（NAND）领域，已进入新一轮上行周期的早期阶段，其中企业级固态硬盘（eSSD）的需求爆发成为主要推动力。
受AI数据中心建设带动，存储器市场呈现显著价格弹性。三星电子本周将DRAM内存产品价格上调最高达30%，同时闪存产品交货周期延长至半年以上，美光科技与闪迪公司随即跟进涨价策略。华尔街分析机构指出，这种价格调整不仅反映当前供需失衡，更预示着行业周期性转折的到来。
摩根士丹利研究报告强调，当前内存市场正处于关键转折点。与传统的DRAM和机械硬盘相比，闪存市场因供需格局急剧变化展现出更强上涨动能。该机构预测2026年将出现内存价格"双底"后的复苏周期，其中闪存价格涨幅可能领先于其他品类。报告特别建议投资者关注纯闪存制造商铠侠和闪迪，以及三星、SK海力士等综合存储厂商。
支撑行业复苏的核心因素在于库存水平正常化。经过长期去库存周期后，全球内存行业库存已回归健康区间，为价格反弹奠定基础。制造业景气度指标ISM PMI与非AI半导体收入增长的关联性，进一步印证了市场复苏趋势。研究显示，内存周期与逻辑芯片周期在AI时代出现短暂脱钩后，目前正呈现追赶态势。
企业级存储需求成为本轮周期的核心驱动力。云服务提供商为应对AI推理业务增长和机械硬盘供应限制，提前数月启动2026年存储设备采购谈判。据统计，四大主要客户的企业级固态硬盘订单量已达200EB，叠加约150EB的AI相关需求，远超市场此前预期。这种需求井喷直接推动闪迪股价年内暴涨95%，铠侠股价上涨75%，均大幅跑赢费城半导体指数10%的涨幅。
价格走势方面，市场预计将经历"双底"调整。尽管2025年下半年部分品类价格可能持平或小幅回落，但2026年将迎来更强劲上涨。TrendForce数据显示，2025年第二季度电脑DRAM平均售价预计上涨3-8%，而闪存综合价格可能在2026年上半年再涨15-20%。值得注意的是，即便考虑长江存储产能扩张，其新增供应主要面向国内市场，对全球供需格局影响有限。
供应端反应相对克制形成鲜明对比。尽管2026年闪存设备资本支出预测上调至138亿美元，但扩产速度仍落后于DRAM领域。这主要源于制造商严格的资本纪律，以及优先保障高利润率DRAM业务的产能分配。这种供应侧的谨慎态度，将延长并加剧闪存市场的供应紧张局面。
在投资标的选择上，报告重点分析了几家核心企业。铠侠作为纯闪存制造商，其BiCS-8技术使其在企业级市场占据优势，财务杠杆带来的盈利弹性值得关注。闪迪虽在eSSD市场份额较低，但将显著受益于整体价格上涨，新一代BICs8产品有望提升其市场地位。三星和SK海力士作为综合存储巨头，将全面受益于存储市场周期走强。模组制造商江波龙和群联电子，也将从闪存价格上涨中获益。
