全球存储芯片行业领军企业美光科技近日发布最新财报，数据显示其2025财年第四季度业绩表现强劲。公司当季营收达113.2亿美元，同比增长46%；营业利润39.55亿美元，同比增幅达126.6%，两项指标均显著超出市场预期。这份成绩单公布后，美光股价在盘后交易中迅速拉升，最高触及174.89美元/股，涨幅一度超过4%，最终稳定在1%左右的增长区间。值得注意的是，该公司股价自年初以来已实现翻倍增长。
从业务结构来看，DRAM内存产品贡献了90亿美元营收，环比增长27%，占总营收比重达79%；NAND闪存产品营收23亿美元，环比增长5%，占比约20%。其中，用于人工智能开发的高带宽内存（HBM）表现尤为突出，第四季度收入近20亿美元，按年化计算接近80亿美元规模。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在分析师会议上透露，未来数年全球AI领域将吸引数万亿美元投资，其中存储芯片将占据重要份额。
基于AI设备需求持续旺盛的判断，美光对2026财年作出积极预测：预计首季度营收将达125亿美元，每股收益3.75美元。公司特别指出，DRAM和NAND市场将在AI需求驱动下保持增长态势，为此计划增加资本支出以支持产能扩张和技术升级。管理层同时预警，内存芯片供应紧张局面可能延续至2026年，数据中心设备订单积压现象短期内难以缓解。
在产品布局方面，美光已就2026年大部分HBM3e型内存芯片完成价格谈判，并开始向客户提供下一代HBM4样品。公司强调将通过长期固定合同确保销售稳定性。这种策略在NAND闪存领域同样适用，作为美光第二大产品线，该业务正受益于人工智能应用带来的需求激增。
受国际市场供应趋紧影响，A股存储芯片板块9月24日出现异动，整体涨幅超过5%，主力资金净流入近120亿元。通富微电、江丰电子等个股涨停，江波龙、赛腾股份、德明利等跟涨。市场波动与三星电子的调价策略密切相关，该公司近期将部分DRAM和NAND产品价格上调最高达30%，成为继美光、闪迪之后第三家采取提价措施的行业巨头。
国内产业链方面，HBM相关设备材料企业迎来发展机遇。赛腾股份披露其HBM检测设备已获海外大客户批量订单，国内市场拓展正在推进；中微公司在先进封装领域完成全流程布局，涵盖刻蚀、CVD、PVD及晶圆检测等设备，并已推出CCP刻蚀和TSV深硅通孔设备。东方证券分析指出，AI需求持续性和原厂产能切换趋势，为DRAM涨价行情提供长期支撑。随着三星、SK海力士、美光在HBM4时代形成三足鼎立格局，利基型DRAM市场或将为国内厂商创造更大发展空间。
行业数据显示，HBM技术已成为突破内存带宽瓶颈的关键解决方案。该技术通过垂直堆叠芯片降低功耗，有效解决传统存储器的带宽限制、功耗过高和容量不足等问题，当前已成为AI芯片的主流配置。市场研究机构Yole预测，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元扩张至2030年的980亿美元，期间复合年增长率达33%。
