摩根大通最新发布的行业研究报告指出，全球头部存储芯片制造商的总市值已逼近万亿美元关口，基于对历史估值规律与未来市场空间的综合测算，该机构预测到2027年这一数字将攀升至1.5万亿美元，意味着行业龙头仍存在逾50%的估值提升空间。报告特别强调，当前存储芯片行业正经历前所未有的增长周期，其持续时间与强度均有望刷新历史纪录。
针对市场普遍担忧的2027年DRAM产能过剩问题，研究团队通过构建产能-位元动态模型得出结论：HBM（高带宽内存）的产能挤占效应与AI推理带来的结构性需求，将使未来两年DRAM供应增速持续落后于需求增长。具体数据显示，HBM占DRAM总产能的比例将从2025年的19%跃升至2027年的28%，而常规DRAM产能在2026年甚至可能出现同比下降。尽管2027年供需缺口可能从2026年的5%收窄至3%，但整体市场仍将维持供不应求状态。
在定价机制方面，报告揭示了存储市场"双轨并行"的特殊现象。企业级（B2B）市场受AI推理需求驱动，价格体系保持强韧性；消费级（B2C）市场则因终端需求疲软面临周期性压力。不过，服务器端需求的持续增长将完全对冲消费电子市场的下行风险。摩根大通预测，2026财年DRAM平均售价将激增53%，NAND价格上涨约30%；2027财年DRAM价格仍能维持1%的微涨，NAND价格回调幅度控制在6%以内。
AI技术革命正在重塑存储产业格局。HBM领域因GPU与ASIC的路线竞争迎来双重利好，Google下一代2nm制程TPU可能采用HBM4，配合Rubin Pro GPU带来的4倍容量提升，将持续挤压供应链产能。研究预计HBM供需缺口将贯穿2027年，甚至可能延续至2028年。在企业级SSD市场，AI服务器对存储容量的需求是普通服务器的3倍，叠加HDD厂商资本开支谨慎的因素，eSSD将在未来6个月享受需求红利，推动2026财年NAND价格上涨27%。
关于产能扩张的实际效果，报告提出"增长但克制"的判断。虽然存储厂商公布了多项扩产计划，但物理迁移挑战将限制实际位元供应增长。数据显示，2026/2027年DRAM晶圆厂设备支出将分别增长19%和26%，但资本密集度指标显示，DRAM（低于30%）和NAND（低于20%）的投入强度均低于过去五年平均水平。这种谨慎的资本支出策略，反映出供应端维持市场平衡的显著纪律性。
在估值测算框架下，摩根大通采用市值/市场规模（TAM）模型，结合2018-2021年周期3.5倍的市销率中值，得出2027年存储市场规模约4200亿美元的预测。当前头部企业市值距离目标值存在显著差距，即便考虑市场波动因素，行业整体仍具备可观的增长弹性。研究团队明确建议投资者继续增持存储板块，认为市场对周期拐点的担忧过度，实际供需格局远比预期乐观。
