合肥露笑半导体材料有限公司近日宣布，在第三代半导体材料领域取得重大技术突破。该公司成功制备出12英寸碳化硅单晶样品，并完成从晶体生长到衬底加工的全流程工艺验证，标志着其"导电型+半绝缘型"双路线产品体系正式构建完成。
在功率电子应用领域，研发团队通过优化晶体生长参数耦合模型，实现了大尺寸晶体的低缺陷密度控制，衬底电阻率均匀性达到国际先进水平。这项突破为新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器等高端功率器件提供了关键材料支撑。在光电子应用方向，团队攻克了半绝缘型碳化硅的高阻纯度控制难题，产品表面粗糙度控制在纳米级，完全满足AR眼镜光波导和5G射频器件的严苛加工要求。
面对全球半导体产业向大尺寸发展的趋势，合肥露笑已启动产能扩张计划。在现有合肥基地一期项目基础上，公司将重点推进8英寸导电型衬底的规模化量产，同时布局12英寸半绝缘型衬底的研发中试线。相关产品线将覆盖新能源汽车电控系统、智能电网、消费电子等战略新兴领域，有效缓解国内高端碳化硅衬底依赖进口的局面。
公司技术负责人透露，通过持续三年的技术攻关，团队在晶体生长热场设计、缺陷控制等核心环节形成自主知识产权体系，部分指标已超越国际同类产品。随着新产线的逐步投产，预计上半年营业收入将实现跨越式增长。未来将持续深化与上下游企业的协同创新，推动碳化硅材料在更多领域的国产化替代进程。
