江苏长晶科技股份有限公司（以下简称“长晶科技”）主板IPO近日获得深交所正式受理，标志着这家综合型半导体企业迈向资本市场的重要一步。作为国内少数同时采用Fabless与IDM模式运营的企业，长晶科技在分立器件和电源管理IC领域构建了完整的技术壁垒，其产品矩阵覆盖二极管、三极管、MOSFET、IGBT等核心电子元器件，拥有超过万种规格型号的量产能力。
公司发展路径呈现鲜明的“双轮驱动”特征：一方面通过内生研发突破技术瓶颈，另一方面借助外延并购整合产业资源。2018年注册于江北新区后，长晶科技先后完成对新顺微电子、海德半导体的收购，并设立长晶浦联强化封测环节自主可控能力，同时建立具备CNAS、CMA认证的检测实验室，形成从芯片设计到封装测试的全产业链布局。这种垂直整合模式使部分产品实现从定义设计到晶圆制造再到封装测试的全流程自主生产。
财务数据显示，长晶科技在2023至2025年间保持稳健增长态势，营业收入从22.60亿元攀升至29.85亿元，净利润从1.67亿元增至3.49亿元。其中2025年营收同比增长11.49%，净利润增幅达44.03%，展现出强劲的盈利能力。这种增长得益于公司在消费电子、工业控制、汽车电子等领域的广泛布局，其晶圆级封装MOSFET产品更通过权威机构鉴定，达到国内领先、国际先进水平，在中国市场占有率位居行业前三。
技术储备方面，公司持续推进MOSFET、IGBT及第三代半导体材料的研发产业化，同时加大电源管理IC领域的投入。这种前瞻性布局已获得资本市场的认可：2025年6月完成C轮融资，引入江苏省节能环保战新产业基金等战略投资者；2026年3月再获广汽资本战略投资，两次融资累计金额超亿元，彰显产业资本对公司在半导体赛道竞争力的信心。
根据招股说明书，此次IPO拟募集资金14.9亿元，主要投向三大领域：一是投资建设年产100亿颗工控及车规级功率器件封装测试项目，强化高端制造能力；二是布局MOSFET、IGBT及第三代半导体技术研发，巩固技术领先优势；三是推进电源管理IC研发项目，完善产品生态。剩余资金将用于补充流动资金，优化财务结构。这些投资方向均紧密围绕公司主营业务，旨在通过IDM模式深化封装测试环节的垂直整合，提升在高端分立器件和电源管理IC市场的综合竞争力。
值得关注的是，长晶科技的股东阵容堪称豪华，中芯聚源、深创投、国家集成电路产业投资基金等国家级投资平台，以及小米长江产业基金、OPPO、传音控股等产业巨头均位列其中。这种“国家队+产业资本”的组合，既为公司提供了资金支持，更在产业链协同、市场拓展等方面形成战略协同效应，为其持续发展注入强劲动力。
