磷化铟作为光芯片领域的核心材料，近期成为资本市场与产业界的双重焦点。随着AI数据中心建设加速，光模块向1.6T甚至3.2T技术迭代，对磷化铟衬底的需求呈现爆发式增长。据行业机构Yole预测，2026年全球磷化铟衬底需求量将攀升至260万至300万片，而同期有效产能仅约75万片，供需缺口超过70%。
资本市场已率先反应。A股市场中近20只磷化铟相关概念股年内表现强劲，云南锗业以近180%的涨幅领跑，较2024年低点累计涨幅超10倍；欧莱新材年内涨幅达240%，其全资子公司欧莱铟已启动6N级高纯铟及磷化铟材料制备工艺研究；博杰股份通过参股珠海鼎泰芯源切入赛道，年内股价上涨107%。资金流向方面，云南锗业与锡业股份年内获融资净买入均超10亿元，中国铝业、驰宏锌锗等企业融资净买入额亦突破3亿元。
产业端动作频频。高分子材料企业宿迁联盛6月8日公告，拟联合投资者投资1000万元设立合资公司，主营磷化铟衬底研发生产，其中宿迁联盛持股70%。根据规划，项目一期将投入1亿元，在10个月内建成年产12万片4-6英寸衬底产线；二期预计追加投资2亿元，产能扩充至40万片/年。该跨行业投资计划引发监管关注，上交所随即发函要求公司说明技术可行性、资金安排及风险控制措施。
央企中铝集团亦加速布局。其旗下中铝乾星（成都）科技有限责任公司计划在成都彭州建设大尺寸化合物半导体衬底中试平台，总投资3500万元，重点研发6英寸磷化铟、锑化镓衬底及高纯硒、碲等材料。该项目预计2026年底投产，将填补区域中试环节空白。中铝乾星由中铝集团联合中国铝业、云南铜业、驰宏锌锗等企业于2025年共同出资15亿元设立，依托股东在稀散金属领域的资源优势，聚焦先进半导体等战略领域。
技术壁垒与产能瓶颈制约行业扩张。磷化铟衬底生产需在高温高压环境下实现极端控制，设备交付周期长、良率提升困难，叠加客户认证周期长达两年，导致短期供应难以缓解。国内目前仅有云南锗业、广东先导科技等少数企业实现量产，其中云南锗业4英寸产品已稳定出货，6英寸产品处于研发迭代阶段，并于今年4月启动30万片/年扩产项目，建设周期18个月。
上游资源竞争加剧。驰宏锌锗2025年股东会议资料显示，其向中铝乾星销售锗精矿、精铟等产品的金额将从2025年的9190万元增至2026年的7.17亿元，侧面印证中铝乾星在半导体衬底领域的推进速度。锡业股份披露，2026年一季度生产铟锭27吨；兴业银锡截至2024年末铟金属储量达1130吨，为产业链提供原料保障。
