河南省力量钻石股份有限公司近日宣布，其技术团队成功培育出一颗重达247.82克拉的大颗粒单晶钻石，再次刷新该领域世界纪录。此前，该公司曾以156.47克拉的成果打破全球纪录，此次突破标志着我国在超大颗粒单晶培育技术上迈入全新阶段。公司董事长邵增明在接受采访时透露，这一成果源于技术团队针对大尺寸生长目标的持续攻关，通过高温高压工艺突破多项技术瓶颈，最终实现从重量到尺寸的双重突破。
据技术团队介绍，此次突破的核心价值不仅在于单晶重量的提升，更在于其45毫米的尺寸接近两英寸标准，通过二次生长外延技术可扩展至50毫米。这一进展直接解决了金刚石功能材料领域的关键难题——大尺寸子晶的制备。作为半导体行业公认的终极散热材料，金刚石散热材料的国际主流工艺依赖单晶生长，但国内长期受制于子晶尺寸限制。力量钻石的成果意味着我国已掌握大尺寸子晶的核心技术，为后续复制生长更大尺寸单晶散热材料奠定基础。
当前国际上，英国Element Six与日本Orbray株式会社联合实现的2-3英寸金刚石晶片量产技术被视为行业标杆。相比之下，力量钻石的技术路径更具独特性：通过中国特有的高温高压技术直接生长大尺寸单晶，再结合MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）技术进行接力生长。这种"高温高压+MPCVD"的组合方案，既规避了国际主流异质外延方法的缺陷，又为制备三英寸金刚石半导体材料提供了技术可行性。
邵增明特别强调，公司技术突破的速度令人振奋——从去年157克拉到今年247克拉仅用一年时间。他透露，下一阶段目标将聚焦于实现两英寸、三英寸尺寸的单晶培育，通过持续优化高温高压工艺与MPCVD接力生长的协同效应，推动我国在金刚石半导体材料领域占据国际领先地位。这一战略选择与国家半导体产业发展需求高度契合，旨在为高端芯片制造提供关键功能材料支撑。
值得注意的是，力量钻石的技术路线已引发国际关注。其高温高压单晶培育技术突破了传统认知中"单晶难以做大"的局限，而MPCVD接力生长方案则解决了大尺寸单晶的均匀性问题。这种"双技术融合"模式不仅缩短了研发周期，更降低了大规模量产的成本门槛。随着三英寸金刚石半导体材料制备技术的逐步成熟，我国有望在第三代半导体材料竞争中实现弯道超车。
