行业数据显示，全球DRAM市场规模预计将从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元，年复合增长率达30.56%。在AI、智能汽车等新兴领域驱动下，DRAM正朝着更高密度、更低功耗方向演进。长鑫科技透露，其第五代工艺平台已进入风险试产阶段，单位面积存储密度较前代提升40%，功耗降低25%，有望在2026年实现量产。
对于投资者关注的产能过剩风险，管理层表示当前国内DRAM自给率不足15%，市场需求远超供给能力。公司募投项目将重点投向先进制程研发和产能扩张，预计2028年形成月产40万片12英寸晶圆的生产能力，较现有规模增长300%。朱一明强调，通过持续技术迭代和成本优化，公司有能力在行业周期波动中保持竞争优势。
在国际化布局方面，长鑫科技已启动东南亚生产基地选址工作，计划通过海外建厂规避贸易壁垒并贴近客户需求。公司同时与全球主要设备供应商建立战略合作，确保关键设备供应链安全。财务数据显示，2025年公司研发投入占比达22%，较2024年提升5个百分点，为技术领先提供坚实保障。
