国产DRAM存储芯片领军企业长鑫科技即将开启科创板上市征程。根据公开信息，公司将于7月16日正式启动网上申购，此前已通过上海证券报·中国证券网、上证路演中心完成投资者交流活动。董事长朱一明在路演中强调，公司始终将自主创新作为发展核心，自2019年成功研制首颗8Gb DDR4芯片以来，已实现四代工艺平台的量产突破，并完成DDR5、LPDDR5/5X等高端产品的迭代覆盖。
面对全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大国际厂商占据超90%份额的格局，朱一明指出，技术迭代与产能优化是维持竞争力的关键。目前长鑫科技产能规模位居中国首位、全球第四，已形成覆盖移动设备、服务器及个人电脑领域的完整产品线。特别在服务器领域，公司2024年底推出的DDR5产品实现年均536.24%的复合增长率，成功把握数据中心建设带来的市场机遇。
在技术攻坚方面，朱一明透露DRAM制造涉及光刻、刻蚀等数百道精密工序，任何环节的质量波动都会影响芯片性能。为突破技术壁垒，公司采取跳代研发策略，在合肥、北京两地布局三座12英寸晶圆厂，形成包含DDR系列、LPDDR系列在内的多元化产品矩阵，可提供从晶圆到模组的完整解决方案。
据市场研究机构Omdia预测，全球DRAM市场规模将从2025年的1505亿美元扩张至2030年的5710亿美元。但朱一明同时警示行业周期性风险，指出当前业绩增长受益于AI需求爆发，但需警惕宏观经济波动、技术迭代不确定性及产能集中释放可能引发的市场下行。公司计划通过持续技术升级、产能调配和成本控制构建抗风险体系。
关于上市后的战略规划，朱一明表示募集资金将重点投向技术研发与产业化项目，通过提升自主创新能力强化市场保障能力。作为产业链龙头，公司还将推动上下游协同发展，助力构建国内集成电路产业生态。目前长鑫科技正筹备新一代产品迭代，随着产线建设推进，全球市场份额有望进一步提升。
