近期，市场传言三星电子计划在2025年4月终止生产1z制程的8Gb LPDDR4存储器，并通知客户需在同年6月前完成最后订单，预计最晚于10月前完成出货。据传，此举是因为三星电子计划将国内手机LPDDR4存储芯片订单转移至本土工厂，以更专注于LPDDR5及以上级别的高端产品。
面对这一市场传闻，三星电子半导体部门在4月22日中午通过钛媒体AGI渠道回应称，公司不对业界传言进行评论，生产活动正在按计划有序进行。
根据CFM闪存市场数据显示，受AI服务器强劲需求的推动，2024年全球DRAM和NAND闪存销售收入达到了创纪录的1670亿美元，同比大幅增长85.53%。然而，去年第四季度，全球NAND闪存市场规模却缩减了8.5%，降至174.1亿美元。预计2025年，全球存储市场产值将仅实现2%的微增长。
在DRAM市场方面，2024年市场规模达到了970亿美元，容量更是突破了2500亿Gb。其中，HBM（高带宽存储器）的热潮成为DRAM市场的一大亮点。CFM闪存市场预计，到2025年，随着三星、美光、SK海力士等公司HBM4产品的量产，HBM在DRAM产业中的占比将接近30%，市场将达到2880亿Gb当量，并且在服务器内存消耗方面，其应用持续增长。
从三星电子的财报来看，2024年该公司实现了300.9万亿韩元（约合1.52万亿元人民币）的收入，同比增长16%；归母净利润更是飙升至33.6万亿韩元（约合1692.43亿元人民币），同比增长131%。其中，三星的内存业务成为主要增长引擎，销售额达到84.5万亿韩元，同比增长91%，HBM及DDR5产品的贡献尤为显著。
三星电子目前主要聚焦于中高端DRAM存储和NAND闪存芯片市场。据公开报道，2025年，三星将把HBM3E的产能提升三倍，并将QLC SSD的市场占比目标设定为30%，较2024年的15%有大幅提高。同时，公司计划减少超过20%的传统DRAM产能，转向生产LPDDR5x及HBM等高端产品。
今年1月，HBM4内存已经准备进入4nm试产阶段，待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星将提供HBM4样品进行验证。
三星电子表示，其强劲表现得益于对存储芯片的强劲需求，特别是用于AI服务器和固态硬盘（SSD）的存储芯片。公司表示，“HBM、DDR5等以服务器为中心的产品销售扩大，同时积极应对生成式AI服务器用高附加值产品的需求，使得业绩较上季度大幅改善。”
里昂证券(CLSA)分析认为，数据中心和AI开发的需求推动内存芯片的平均价格较上一季度上涨了15%，这帮助三星最大的部门扭转了上年同期的亏损局面。美银预计，三星2025年的HBM3e销售额预计将达到24亿美元，占HBM总销售额的34%。
