在化合物半导体领域的国际盛会上，ICNS会议再次汇聚了全球顶尖的科学家、工程师及产业界精英，共同探讨氮化物半导体的最新研究成果与发展趋势。作为极具影响力的年度盛会，ICNS不仅涵盖了材料生长、器件物理及应用拓展等多个方面，还见证了氮化物半导体从基础科研到大规模商业应用的辉煌历程。
在近期举办的第15届ICNS会议上，广东致能半导体有限公司凭借其在硅基垂直氮化镓功率器件领域的创新突破，成为了备受瞩目的焦点。作为少数在该领域拥有国际影响力的企业之一，致能受邀出席并分享了其团队在技术创新及应用前景方面的独到见解。
致能在会议中指出，硅基垂直氮化镓器件架构凭借其显著的优势，成功突破了传统横向结构在导电能力和散热性能上的局限。这一创新架构不仅性能卓越，还具备巨大的系统集成潜力，被视为推动氮化镓功率器件迈向更大功率应用的关键技术路径。
与会者了解到，横向结构氮化镓虽然具有成本低、工艺简单等优点，但在导通电阻、耐压能力及散热效率方面存在明显不足。相比之下，垂直结构氮化镓通过源极在顶部、漏极在底部的设计，实现了电流的纵向流动，从而显著提升了器件的整体性能，尤其适用于高压、高功率的应用场景。
广东致能团队在硅衬底上成功实现了垂直GaN/AlGaN异质结构及垂直二维电子气沟道的直接外延生长方法，这一全球首创的技术为制备低位错密度的氮化镓鳍状结构提供了可能。基于此，致能研制出了全球首个具有垂直二维电子气沟道的常开型器件及阈值电压可调的常关型器件。在工艺集成方面，通过独特的全垂直电极结构布局，进一步提升了散热效率，并确保了量产的可行性。
在展示环节，广东致能向与会者展示了其垂直二维电子气氮化镓功率器件架构的实物图片。其中，左图展示了生长用硅衬底尚未去除的器件架构，而右图则是去除硅衬底后的垂直氮化镓器件晶圆。这一创新架构和工艺不仅为致能在国内外广泛布局核心知识产权提供了坚实基础，还构建了完整的专利体系，形成了坚不可摧的技术壁垒。
广东致能半导体有限公司成立于2018年，总部位于深圳，并在徐州、深圳、广州、上海等地设有研发基地和市场销售中心。公司由具有丰富半导体研发经验的海外归国专家领衔创立，并汇聚了国内外半导体器件设计制造领域的顶尖人才。凭借在常关型、垂直沟道氮化镓功率器件等方面的多项独特技术发明，致能已成为推动第三代半导体氮化镓功率器件研发与产业化的重要力量。
