存储芯片行业领军企业美光科技近日交出一份亮眼的成绩单，不仅上财季业绩远超预期，更对下一财季给出强劲指引，同时释放出人工智能（AI）需求持续旺盛的积极信号。这一系列利好推动公司股价在盘后交易中一度上涨超4%，最终收涨近1%。
根据最新财报，截至2025年8月28日的2025财年第四财季，美光实现营业收入约113.2亿美元，同比增长46%，超出分析师预期的111.5亿美元及公司指引上限。非GAAP口径下调整后的稀释后每股收益（EPS）达3.03美元，同比增长156.8%，较公司指引上限高出0.11美元。调整后营业利润为39.55亿美元，同比增长126.6%，毛利率提升至45.7%，同比提高9.2个百分点，各项核心指标均创历史新高。
从业务结构看，DRAM（内存）业务仍是主要增长引擎，当季营收90亿美元，环比增长27%，占总营收的79%；NAND（闪存）业务营收23亿美元，环比增长5%，占比约20%。值得注意的是，用于AI数据处理的高带宽内存（HBM）产品表现尤为突出，单季营收创下新高，推动专注超大规模云计算客户的云存储业务（CMBU）营收达45.43亿美元，同比激增213.5%。
公司CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议中透露，美光HBM客户群已扩展至六家，并与主要客户就2026年大部分HBM3E产品价格达成协议。目前，公司正在积极讨论HBM4产品的规格与供货量，预计未来几个月内将完成2026年剩余HBM产品的订单签订。他特别强调，美光从6月开始向客户发送36GB HBM4 12H（12层堆叠）内存样品，近期已交付产品样品，且按计划推进，能够满足客户对带宽和引脚速度的更高要求。
对于下一财季，美光给出更为乐观的指引：预计2026财年第一财季营收将达125亿美元（上下浮动3亿美元），同比增长43.5%，远超分析师预期的119亿美元；调整后EPS预计为3.75美元（上下浮动0.15美元），同比增长109.5%；调整后毛利率指引为51.5%（上下浮动1个百分点），创历史新高。公司还上调了2025自然年行业需求预期，预计全球DRAM Bit需求增长率将超过15%，NAND Bit需求增长率在10%至15%之间。
在资本支出方面，美光2025财年投入达138亿美元，同比增长约70%，主要用于1γ DRAM和HBM相关技术研发。公司预计2026财年资本支出将进一步增加，其中第一财季资本开支约45亿美元，同比增长近44%，高于分析师预期的39亿美元。
市场分析认为，美光连续七个季度实现盈利，且当前DRAM周期（通常持续六到八个季度）因AI需求旺盛而有望延长。公司HBM产品在AI模型开发中的关键作用，使其成为AI领域支出增长的主要受益者。随着HBM4产品逐步量产，美光在高端存储市场的竞争力将进一步增强，为未来业绩增长提供有力支撑。
