科创芯片板块今日表现强劲，上证科创板芯片指数早盘涨幅达2.21%，多只成分股涨幅居前。其中源杰科技以14.37%的涨幅领涨，盛科通信、海光信息分别上涨4.34%和3.92%，峰岹科技、佰维存储等个股也呈现跟涨态势。跟踪该指数的科创芯片ETF博时（588990）同步上涨2.04%，最新成交价报2.45元。数据显示，截至11月5日，该ETF近三个月累计涨幅已达41.28%，近一个月日均成交额1.23亿元，今日盘中换手率1.3%，成交金额920.96万元。
市场整体呈现普涨格局，创业板指早盘涨幅超过1%，深证成指上涨0.66%，上证指数微涨0.11%。沪深京三市上涨个股数量接近2200只，存储芯片、SOFC等细分领域涨幅领先。值得关注的是，全球存储芯片龙头SK海力士近日确认其HBM产品市场地位，该公司向英伟达供应的第六代高带宽内存（HBM4）价格较前代产品涨幅超过50%。今年3月，SK海力士率先交付全球首款12层堆叠HBM4样品，6月启动初期供货，目前已就英伟达下一代AI芯片"Rubin"所需HBM4展开价格谈判。
机构分析指出，存储芯片市场正进入持续涨价周期。TrendForce预测数据显示，2025年第四季度一般型DRAM价格环比涨幅将达18%-23%，包含HBM的整体DRAM价格涨幅预计23%-28%；NAND Flash平均价格环比上涨5%-10%。国信证券认为，随着手机、服务器市场国产化空间打开，国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇。机构普遍看好本轮存储上升周期，指出AI技术发展带来的需求爆发是核心驱动因素，2025年以来多模态模型和AI应用落地，推动eSSD、HBM等AI存储需求集中释放。
从产能端看，2026年DRAM及NAND产能扩产有限，预计存储周期至少延续至2026年下半年。资金流向方面，半导体产业ETF近五个交易日有三个交易日呈现资金净流入，合计吸金5487.57万元，日均净流入1097.51万元。目前该领域资金流动整体保持平稳。
科创芯片ETF博时紧密跟踪的上证科创板芯片指数，样本股覆盖半导体材料设备、芯片设计、制造、封装测试等全产业链环节。截至10月31日，指数前十大权重股包括海光信息、寒武纪、澜起科技、中芯国际、中微公司等，合计权重占比60.55%。其中海光信息、中芯国际等制造环节企业，与寒武纪、澜起科技等设计环节企业形成有效互补。
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