国产DRAM领军企业长鑫科技正式启动科创板上市进程。根据其最新披露的招股意向书，公司计划于2026年7月16日同步开展网下与网上新股申购，其中网上申购代码设定为"787825"，证券代码为"688825"。此次拟公开发行66.88亿股，占发行后总股本比例约10%，初始战略配售数量达33.44亿股，占发行总量的半数。
作为科创板"预先审阅"改革首单试点项目，长鑫科技创造了国内大型硬科技企业IPO审核新速度。从2025年12月30日受理申请到2026年6月12日注册生效，全程仅用165天。公司自2016年成立以来，通过"跳代研发"策略实现技术跨越，已构建从第一代到第四代工艺技术平台的完整量产体系，产品覆盖DDR4至DDR5全系列，核心指标达到国际领先水平。
财务数据显示，2026年一季度公司实现营收508亿元，同比激增719.13%；净利润达247.62亿元，同比增长1688.3%。这种爆发式增长主要得益于DRAM市场价格持续攀升。公司预计上半年营收将突破1100亿元，净利润区间为500-570亿元，同比增幅最高达2544.19%。根据Omdia统计，2025年第四季度长鑫科技全球市场份额已升至7.67%，较年初提升3.2个百分点。
此次IPO拟募集资金295亿元，将重点投向三大领域：存储器晶圆制造产线升级、DRAM技术迭代研发以及前瞻技术研究。这笔资金将创下科创板历史最高募资纪录，为产能扩张提供强劲支撑。据Semianalysis预测，随着多基地布局推进，公司2028年全球市占率有望突破17%，产能规模将向国际巨头看齐。
行业分析指出，AI算力需求爆发正重塑全球存储产业格局。三星、SK海力士、美光等海外厂商已集体上调资本开支，重点布局HBM等高端领域。国联民生证券认为，长鑫科技此时启动大规模扩产恰逢其时，其扩产进程将分三阶段推进：首先启动前道设备招标，带动刻蚀、薄膜沉积等核心设备需求；随后订单向腔体、真空等上游零部件传导；最终在产线爬坡阶段释放材料耗材需求。
全球存储市场正经历历史性增长周期。IDC数据显示，2025年全球DRAM营收突破1500亿美元后，2026年预计将飙升至5607亿美元，NAND市场也将从671亿美元增至2890亿美元。国信证券分析指出，海外厂商聚焦高附加值产品形成的供需缺口，为国产品牌创造了难得的市场机遇。随着长鑫科技等龙头企业登陆资本市场，国产存储产业链有望形成技术升级-客户导入-利润增长的良性循环。
