国产DRAM存储芯片行业的领军企业长鑫科技，即将在科创板开启新的征程。近日，该公司举行了网上投资者交流会，为即将到来的网上申购做好准备。此次申购标志着长鑫科技距离正式登陆A股市场又近了一步，引发了市场的广泛关注。
在交流会上，长鑫科技董事长朱一明回顾了公司的发展历程，多次强调了“坚定自主创新”的重要性。他指出，自2019年成功推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片以来，长鑫科技便走上了高强度研发投入的道路。通过采取跳代研发策略，公司迅速完成了从第一代到第四代工艺平台的量产，实现了DDR5、LPDDR5/5X等产品的全面覆盖和迭代升级。
朱一明表示，长鑫科技选择自主研发之路，是出于补齐国内技术短板、保障供应链安全的考虑。这条道路虽然重投入、长周期、高难度，但每一次技术突破都凝聚了无数长鑫人的心血和付出，也见证了中国存储产业的不断进步。目前，长鑫科技已突破DRAM关键核心技术，实现了产品的自主研发、设计和商业化量产，产能规模位居中国第一、全球第四。
据市场研究机构Omdia的数据显示，全球DRAM市场规模预计将从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，年均复合增长率高达30.56%。然而，这一市场高度集中，主要被三星、SK海力士、美光等国际头部厂商占据，合计市场份额超过90%。在此背景下，朱一明认为，持续推动产品与制程工艺的创新迭代、保持行业领先的技术水平，是长鑫科技在激烈竞争中生存并提升产品竞争力的关键。
长鑫科技的DRAM产品主要应用于移动设备、服务器及个人电脑领域。随着数据中心等基础设施建设的快速推进，公司紧跟行业发展趋势，于2024年底推出了DDR5等新一代产品，并迅速实现了客户导入。特别是在服务器领域，长鑫科技的DRAM产品收入实现了快速增长，年均复合增长率高达536.24%。
在谈到技术难点时，朱一明坦言，DRAM制造过程涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积等数百道复杂而精密的工序，每一环节都对最终产品性能产生重要影响。因此，公司必须通过严格的质量控制，确保芯片产品具备良好的性能和稳定的运行表现。正是这种对精密制造的极致追求，使得长鑫科技在DRAM领域取得了显著成就。
在产能扩张方面，长鑫科技也稳步推进。目前，公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，为产品的持续供应提供了有力保障。同时，公司还形成了DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，可提供内存DRAM晶圆、芯片、模组等多样化产品方案，满足不同客户的需求。
面对DRAM行业的周期性特征，朱一明并未回避。他指出，虽然2025年下半年以来公司的业绩增长受益于AI驱动的DRAM需求爆发及行业供需紧张，但DRAM行业具有强周期性，价格波动较大。若宏观经济发生不利变化、AI需求不及预期或新产能集中释放，行业可能重回下行周期。为此，长鑫科技将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控等措施，提升公司的抗周期能力。
朱一明表示，登陆资本市场对长鑫科技而言既是新的起点，也意味着新的责任。公司希望通过本次募集资金投资项目，进一步提升技术研发能力和产业化水平，增强对市场需求的保障能力。同时，发挥龙头企业的带动作用，促进产业链协同发展，为国内集成电路产业生态建设贡献更大力量。
