群联电子首席执行官潘健成近日在接受媒体专访时透露，受人工智能数据中心建设加速影响，NAND闪存市场将在2026年迎来供应短缺，且这种供需失衡状态可能持续至2036年。他特别强调，存储行业正步入前所未有的"超级周期"，未来十年全球闪存产能将长期处于紧张状态。
潘健成指出，当前市场格局的转变源于多重因素叠加。自2019年起，闪存制造商因价格暴跌风险持续压缩资本支出，2023年美光、SK海力士等头部企业更将大量资金转向高利润率的HBM内存领域。这种投资转向导致闪存产能扩张停滞，而同期数据中心对存储设备的需求却因AI技术爆发呈现指数级增长。
据其分析，云服务提供商的资本支出策略正在发生根本性转变。过去两年，科技巨头投入数十亿美元抢购GPU用于AI模型训练，但随着模型成熟度提升，推理阶段产生的海量数据存储需求将成为新的投资焦点。"数据中心的核心职能是数据存储，要实现盈利必须积累用户数据，这直接推动存储设备需求激增。"潘健成以数据中心SSD渗透率变化为例，2020年SSD占比不足10%，2024年已跃升至20%，预计2030年前将突破80%。
这种结构性转变带来双重影响：一方面，现有闪存产能远无法满足SSD替代HDD的转型需求；另一方面，存储设备在数据中心投资中的占比将持续攀升。潘健成特别提到，当前每块GPU配套的存储设备数量较三年前增长3倍，这种趋势在推理计算场景下尤为明显。随着全球数据中心存储容量需求以年均25%的速度增长，闪存市场将长期处于供不应求状态。
行业观察人士指出，群联电子作为全球主要NAND控制芯片供应商，其CEO的预测具有重要市场参考价值。近期三星、铠侠等厂商已宣布推迟部分HBM产线扩建计划，转而加大3D NAND技术研发投入，这一战略调整印证了潘健成关于行业风向转变的判断。
